ZrSnTiO₄微波介质陶瓷具有优异的微波介电特性，介电常数适中 (ε_r > 25)，介电损耗较低 (Q > 5000)，频率温度系数接近于0 (τ_f < ±10 ppm/°c)。目前，此类体系的微波介质瓷被广泛的应用于移动通信、北斗卫星导航、直播卫星DBS、汽车电子等为代表的高频微波技术领域。但是，陶瓷的烧结温度过高使会使材料的制备成本提高，添加低熔点氧化物会大大减小陶瓷的介电性能。为解决上述问题，选择合适的助剂可以降低陶瓷得烧结温度，同时不影响材料的介电性能，是解决问题的关键。

近期协同创新中心微波功能材料团队周洪庆老师课题组研究生孙庆磊等人报道了双元氧化物助剂，可以降低ZrSnTiO₄微波介质陶瓷烧结温度，并且不影响陶瓷的介电性能。

XRD物相分析表明，适量的双掺杂不会使陶瓷内部产生第二相或者杂相，由于掺杂离子半径远大于Zr⁴⁺ (0.72Å), Sn⁴⁺ (0.69Å)和Ti⁴⁺(0.61Å)，掺杂离子进入陶瓷内部后会使陶瓷的体积发生扩张，导致XRD主峰向着小角度方向偏移。ZrSnTiO₄微波介质陶瓷密度、介电常数和介电损耗随着烧结温度的变化有着非常类似的变化规律，在双添加一定量时，在1310-1330摄氏度烧结，获得陶瓷微波介电性能最佳：ρ ~ 5.10 g/cm³，ε_r ~ 39.56，Q × f ~ 41000 GHz (at 5.6 GHz)，τ_f ~ -2.65 ppm/°C。目前已发表在Ceram. Int. 2016, 42(10):12306-12311。