BaO-Nd₂O₃-TiO₂陶瓷材料具有优良的微波介电性能：ε_r~88，Q×f ~8000 GHz，τ_f ~80 ppm/℃。目前，此类体系的微波介质瓷被广泛应用在微波元器件中（谐振器、双工器、滤波器等）。微波介质陶瓷的损耗分为本征损耗与非本征损耗两种，本征损耗由晶体场的非谐振动所导致。非本征损耗与陶瓷材料的微观缺陷有关，如气孔、相组成、离子的长程有序度、结晶性能、氧空位、位错以及内应力。

近期协同创新中心微波功能材料团队张其土老师课题组研究生黄宝玉等人报道了“中心暗区”导致BNT陶瓷Q×f值降低。

实验中选择厚度为6.06  mm的片层样品，取其暗区中心制成透射电镜样品，对其微观精细结构进行表征。结果表明：存在“暗区”的陶瓷样品的晶格条纹发生了变化，两边的晶格条纹相汇时无法对齐，发生了偏移，出现了位错。位错的出现降低了晶体的有序度，周期性结构被破坏，这些位错的存在会对陶瓷的微波介电性能产生影响，增加损耗，材料的Q×f值会降低。目前已发表在Mater. Charact. 2016，111: 81–85。

该工作得到了江苏先进无机功能复合材料协同创新中心，高性能陶瓷和超细微观结构国家重点实验室开放项目(项目号SKL201309SIC)，广东省科技项目(项目号2011A091103002)，江苏省高校优势学科建设工程项目的资助。

(a) BNT陶瓷颗粒形貌     (b) 图 (a)中圆圈处HRTEM图

(c) 沿[001]晶带轴的选区电子衍射图  (d) 图 (b)的放大HRTEM图